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Rambus再揮專利大棒 美光被訴內存專利侵權

2006-01-16
　　Rambus在向法庭提出的訴狀中稱，美光在DDR、DDR2、GDDR2、GDDR3、RLDRAM等產品中侵犯了Rambus的多項專利。

　　上周末，Rambus在法院禁止向美光半導體(Micron)提出訴訟的期限到期后，迫不及待地在美國加利福尼亞北區聯邦地方法庭就專利侵權問題向美光提出新的訴訟。

　　Rambus在向法庭提出的訴狀中稱，美光在DDR、DDR2、GDDR2、GDDR3、RLDRAM等產品中侵犯了Rambus的多項專利，這些專利包括降低內存寫入延遲技術、內存控制器設計技術、內存自動預先充電技術等18項技術。Rambus表示，在起訴前已經同美光進行過廣泛的溝通，但是美光仍繼續銷售包含上述技術的產品，Rambus為了維護自己的權益對美光提出訴訟，同時針對這一訴訟庭外和解的大門已經關閉。對于索賠的具體數額Rambus并沒有說明，但是市場分析人士認為Rambus至少會要求美光支付3%的銷售額作為賠償。

　　事實上，除了美光之外，幾乎全球所有主要半導體廠商如三星、現代、南亞都在Rambus的訴訟名單上，2005年Rambus剛剛在與三星的專利糾紛中獲得初步勝利以后，Rambus的股價已經上漲了33美元。

　

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